MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal ZXMS6008DN8Q-13, VDSS 60 V, ID 0.9 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 216-350
- Nº ref. fabric.:
- ZXMS6008DN8Q-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
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*precio indicativo
- Código RS:
- 216-350
- Nº ref. fabric.:
- ZXMS6008DN8Q-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 0.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | ZXMS6008N8 | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 800mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.13W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.45mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, Antimony-Free | |
| Anchura | 6 mm | |
| Longitud | 4.9mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 0.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie ZXMS6008N8 | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 800mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.13W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.45mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, Antimony-Free | ||
Anchura 6 mm | ||
Longitud 4.9mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de DiodesZetex es un MOSFET IntelliFET dual autoprotegido de lado bajo con entrada de nivel lógico. Integra funciones de sobretemperatura, sobrecorriente, sobretensión y nivel lógico protegido contra ESD. Es ideal como interruptor de uso general accionado desde microcontroladores de 3,3 V o 5 V en entornos difíciles en los que los MOSFET estándar no son lo suficientemente resistentes.
Encapsulado compacto de alta disipación de potencia
Baja corriente de entrada
Protección contra cortocircuitos con reinicio automático
Protección contra sobretensión
Apagado térmico con reinicio automático
Protección contra sobreintensidad
Protección ESD de entrada
Corriente continua nominal elevada
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