MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal ZXMS6008DN8-13, VDSS 60 V, ID 0.9 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
216-349
Nº ref. fabric.:
ZXMS6008DN8-13
Fabricante:
DiodesZetex
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Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

0.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SO-8

Serie

ZXMS6008DN8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

800mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Disipación de potencia máxima Pd

2.13W

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

6 mm

Longitud

4.9mm

Certificaciones y estándares

JEDEC, UL 94V-0, RoHS

Altura

1.45mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q100

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET DiodesZetex es un MOSFET IntelliFET de lado bajo doble con autoprotección con entrada de nivel lógico. Integra funcionalidad de nivel lógico con protección contra sobretemperatura, sobrecorriente, sobretensión y ESD. Es ideal como interruptor de uso general accionado por microcontroladores de 3,3 V o 5 V en entornos hostiles donde los MOSFET estándar no son lo suficientemente resistentes.

Encapsulado de disipación de alta potencia compacto

Corriente de entrada baja

Protección contra cortocircuitos con reinicio automático

Protección contra sobretensión

Desconexión térmica con reinicio automático

Protección contra sobreintensidad

Protección ESD de entrada

Corriente nominal continua alta

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