MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal ZXMS6008DN8-13, VDSS 60 V, ID 0.9 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 216-349
- Nº ref. fabric.:
- ZXMS6008DN8-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 216-349
- Nº ref. fabric.:
- ZXMS6008DN8-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 0.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | ZXMS6008DN8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 800mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.13W | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 4.9mm | |
| Altura | 1.45mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC, UL 94V-0, RoHS | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 0.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie ZXMS6008DN8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 800mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.13W | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 4.9mm | ||
Altura 1.45mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC, UL 94V-0, RoHS | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET DiodesZetex es un MOSFET IntelliFET de lado bajo doble con autoprotección con entrada de nivel lógico. Integra funcionalidad de nivel lógico con protección contra sobretemperatura, sobrecorriente, sobretensión y ESD. Es ideal como interruptor de uso general accionado por microcontroladores de 3,3 V o 5 V en entornos hostiles donde los MOSFET estándar no son lo suficientemente resistentes.
Encapsulado de disipación de alta potencia compacto
Corriente de entrada baja
Protección contra cortocircuitos con reinicio automático
Protección contra sobretensión
Desconexión térmica con reinicio automático
Protección contra sobreintensidad
Protección ESD de entrada
Corriente nominal continua alta
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