MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal ZXMS6008DN8-13, VDSS 60 V, ID 0.9 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 216-348
- Nº ref. fabric.:
- ZXMS6008DN8-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 216-348
- Nº ref. fabric.:
- ZXMS6008DN8-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 0.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | ZXMS6008DN8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 800mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.13W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Longitud | 4.9mm | |
| Altura | 1.45mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC, UL 94V-0, RoHS | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 0.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie ZXMS6008DN8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 800mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.13W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Longitud 4.9mm | ||
Altura 1.45mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC, UL 94V-0, RoHS | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET DiodesZetex es un MOSFET IntelliFET de lado bajo doble con autoprotección con entrada de nivel lógico. Integra funcionalidad de nivel lógico con protección contra sobretemperatura, sobrecorriente, sobretensión y ESD. Es ideal como interruptor de uso general accionado por microcontroladores de 3,3 V o 5 V en entornos hostiles donde los MOSFET estándar no son lo suficientemente resistentes.
Encapsulado de disipación de alta potencia compacto
Corriente de entrada baja
Protección contra cortocircuitos con reinicio automático
Protección contra sobretensión
Desconexión térmica con reinicio automático
Protección contra sobreintensidad
Protección ESD de entrada
Corriente nominal continua alta
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