MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal ZXMS6008DN8-13, VDSS 60 V, ID 0.9 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 216-348
- Nº ref. fabric.:
- ZXMS6008DN8-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
840,00 €
(exc. IVA)
1.017,50 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 17 de abril de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,336 € | 840,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 216-348
- Nº ref. fabric.:
- ZXMS6008DN8-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 0.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | ZXMS6008DN8 | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 800mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.13W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Altura | 1.45mm | |
| Longitud | 4.9mm | |
| Anchura | 6 mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC, UL 94V-0, RoHS | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 0.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie ZXMS6008DN8 | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 800mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.13W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Altura 1.45mm | ||
Longitud 4.9mm | ||
Anchura 6 mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC, UL 94V-0, RoHS | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET DiodesZetex es un MOSFET IntelliFET de lado bajo doble con autoprotección con entrada de nivel lógico. Integra funcionalidad de nivel lógico con protección contra sobretemperatura, sobrecorriente, sobretensión y ESD. Es ideal como interruptor de uso general accionado por microcontroladores de 3,3 V o 5 V en entornos hostiles donde los MOSFET estándar no son lo suficientemente resistentes.
Encapsulado de disipación de alta potencia compacto
Corriente de entrada baja
Protección contra cortocircuitos con reinicio automático
Protección contra sobretensión
Desconexión térmica con reinicio automático
Protección contra sobreintensidad
Protección ESD de entrada
Corriente nominal continua alta
Enlaces relacionados
- MOSFET DiodesZetex ZXMS6008DN8-13 ID 900 mA 2elementos
- MOSFET DiodesZetex ZXMS6008DN8Q-13 ID 900 mA 2elementos
- MOSFET DiodesZetex ZXMS6008N8-13 ID 900 mA, SO-8 de 8 pines
- MOSFET DiodesZetex DMTH4014LPD-13 PowerDI5060 de 8 pines, 2elementos
- MOSFET Infineon IRF7413ZTRPBF ID 13 A 2elementos
- MOSFET DiodesZetex DMN6022SSS-13 ID 6 SO-8 de 8 pines
- MOSFET DiodesZetex DMT616MLSS-13 ID 10 A, SO-8 de 8 pines
- MOSFET DiodesZetex DMTH10H032LPDW-13 ID 24 A 2elementos
