MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMNR67-30YLEX, VDSS 30 V, ID 365 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 tira de 1 unidad)*

3,76 €

(exc. IVA)

4,55 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 1500 unidad(es) más para enviar a partir del 21 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Tira(s)
Por Tira
1 - 93,76 €
10 - 993,38 €
100 - 4993,12 €
500 - 9992,89 €
1000 +2,59 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
219-326
Nº ref. fabric.:
PSMNR67-30YLEX
Fabricante:
Nexperia
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

365A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

LFPAK

Serie

PSM

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

52nC

Disipación de potencia máxima Pd

333W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH
El ASFET de canal N de Nexperia en un encapsulado LFPAK56 está optimizado para un bajo RDSon y un fuerte área de funcionamiento segura, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de intercambio en caliente, impulso y modo lineal. Las aplicaciones clave incluyen el cambio en caliente en sistemas de 12 V a 20 V, fusible electrónico, interruptor dc, interruptor de carga y protección de batería.

Pinza de cobre para baja inductancia parásita y resistencia

Encapsulado LFPAK de alta fiabilidad

Calificación a 175 °C

Enlaces relacionados