MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMNR82-30YLEX, VDSS 30 V, ID 330 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
219-340
Nº ref. fabric.:
PSMNR82-30YLEX
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

330A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

LFPAK

Serie

PSM

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.87mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

41nC

Disipación de potencia máxima Pd

268W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH
El ASFET de canal N de Nexperia en un encapsulado LFPAK56 está optimizado para un bajo RDSon y un fuerte área de funcionamiento segura, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de intercambio en caliente, impulso y modo lineal. Las aplicaciones clave incluyen el cambio en caliente en sistemas de 12 V a 20 V, fusible electrónico, interruptor dc, interruptor de carga y protección de batería.

Pinza de cobre para baja inductancia parásita y resistencia

Encapsulado LFPAK de alta fiabilidad

Calificación a 175 °C

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