MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN8R5-40MLDX, VDSS 40 V, ID 60 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 1500 unidades)*

742,50 €

(exc. IVA)

898,50 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 20 de julio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
1500 +0,495 €742,50 €

*precio indicativo

Código RS:
219-382
Nº ref. fabric.:
PSMN8R5-40MLDX
Fabricante:
Nexperia
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

LFPAK

Serie

PSM

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19nC

Disipación de potencia máxima Pd

59W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH
El MOSFET de canal N de Nexperia utiliza la tecnología de superunión TrenchMOS avanzada. El encapsulado está calificado para 175 °C. Está diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia de alto rendimiento. Las aplicaciones clave incluyen automatización, robótica, convertidores dc a dc, control de motor dc sin escobillas, conmutación de carga industrial, eFuse y gestión de inducción.

Baja inductancia y resistencia parásita

Encapsulado Power SO8 con pinza pegada y matriz de fijación de soldadura de alta fiabilidad

Capaz de soldadura por onda

Conmutación súper rápida con recuperación suave

Enlaces relacionados