MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN040-100MSEX, VDSS 100 V, ID 30 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 tira de 1 unidad)*

0,82 €

(exc. IVA)

0,99 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 16 de octubre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Tira(s)
Por Tira
1 - 90,82 €
10 - 990,75 €
100 - 4990,68 €
500 - 9990,62 €
1000 +0,56 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
219-405
Nº ref. fabric.:
PSMN040-100MSEX
Fabricante:
Nexperia
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

PSM

Encapsulado

LFPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

36.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

91W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

30nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

IEEE802.3at, RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH
El MOSFET de canal N de Nexperia está diseñado para satisfacer las mayores demandas de los sistemas Power-over-Ethernet, que ahora admiten hasta 90 W para cada dispositivo alimentado. Responde a requisitos críticos para equipos de fuente de alimentación, incluida la funcionalidad de arranque suave, la gestión térmica y la alta densidad de potencia, lo que garantiza un rendimiento fiable y eficiente en soluciones PoE avanzadas.

Zona de funcionamiento segura con polarización hacia delante mejorada para un funcionamiento superior en modo lineal

Rdson bajo para bajas pérdidas de conducción

Encapsulado LFPAK33 ultrafiable para un rendimiento térmico y robusto superior

Enlaces relacionados