MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PXN040-100QSJ, VDSS 100 V, ID 17 A, Mejora, MLPAK de 8 pines

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Código RS:
219-418
Nº ref. fabric.:
PXN040-100QSJ
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

17A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

MLPAK

Serie

PXN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

40mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

21W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

3.3 mm

Altura

0.8mm

Longitud

3.3mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de canal N de Nexperia se suministra en un encapsulado MLPAK33. Está diseñado para una variedad de aplicaciones estándar. Los usos clave incluyen rectificación síncrona lateral secundaria, convertidores dc a dc, electrodomésticos, accionamientos de motor, conmutación de carga e iluminación de LED.

Compatibilidad de nivel estándar

Tecnología MOSFET Trench

Encapsulado térmicamente eficiente en un factor de forma pequeño

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