MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN1R1-30YLEX, VDSS 30 V, ID 265 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 1500 unidades)*

3.123,00 €

(exc. IVA)

3.778,50 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 02 de noviembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
1500 +2,082 €3.123,00 €

*precio indicativo

Código RS:
219-433
Nº ref. fabric.:
PSMN1R1-30YLEX
Fabricante:
Nexperia
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

265A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

LFPAK

Serie

PSMN1R1-30YLE

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13nC

Disipación de potencia máxima Pd

192W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
PH
El ASFET de canal N de Nexperia está optimizado para un bajo RDS de encendido y un fuerte área de funcionamiento segura, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de intercambio en caliente, impulso y modo lineal. Es perfecto para fusibles electrónicos, interruptores dc, interruptores de carga y protección de baterías en sistemas de 12 V a 20 V.

Fuga baja inferior a 1 μA a 25 °C

Pinza de cobre para baja inductancia parásita y resistencia

Encapsulado LFPAK de alta fiabilidad y calificado a 175 °C

Enlaces relacionados