MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN1R0-40SSHJ, VDSS 40 V, ID 325 A, Mejora, LFPAK de 5 pines
- Código RS:
- 219-472
- Nº ref. fabric.:
- PSMN1R0-40SSHJ
- Fabricante:
- Nexperia
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*precio indicativo
- Código RS:
- 219-472
- Nº ref. fabric.:
- PSMN1R0-40SSHJ
- Fabricante:
- Nexperia
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 325A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | PSM | |
| Encapsulado | LFPAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 137nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 10 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 8mm | |
| Altura | 1.6mm | |
| Anchura | 8 mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 325A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie PSM | ||
Encapsulado LFPAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 137nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 10 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 8mm | ||
Altura 1.6mm | ||
Anchura 8 mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de canal N de Nexperia dispone de la cartera NextPowerS3 que utiliza la exclusiva tecnología SchottkyPlus de NXP que proporciona una alta eficiencia y un bajo rendimiento de pico normalmente asociado con MOSFETS con un diodo Schottky o similar a Schottky integrado, pero sin una corriente de fuga alta problemática. NextPowerS3 es especialmente adecuado para aplicaciones de alta eficiencia a altas frecuencias de conmutación.
Baja inductancia y resistencia parásita
Con clasificación de avalancha
Capaz de soldadura por onda
Conmutación súper rápida con recuperación suave
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