MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN1R0-40SSHJ, VDSS 40 V, ID 325 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

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Código RS:
219-472
Nº ref. fabric.:
PSMN1R0-40SSHJ
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

325A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

LFPAK

Serie

PSM

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

137nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

8 mm

Longitud

8mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

1.6mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal N de Nexperia dispone de la cartera NextPowerS3 que utiliza la exclusiva tecnología SchottkyPlus de NXP que proporciona una alta eficiencia y un bajo rendimiento de pico normalmente asociado con MOSFETS con un diodo Schottky o similar a Schottky integrado, pero sin una corriente de fuga alta problemática. NextPowerS3 es especialmente adecuado para aplicaciones de alta eficiencia a altas frecuencias de conmutación.

Baja inductancia y resistencia parásita

Con clasificación de avalancha

Capaz de soldadura por onda

Conmutación súper rápida con recuperación suave

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