MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTH4L013N120M3S, VDSS 1200 V, ID 151 A, Mejora, TO-247-4L de 4 pines
- Código RS:
- 220-567
- Nº ref. fabric.:
- NTH4L013N120M3S
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 1 unidad)*
28,06 €
(exc. IVA)
33,95 €
(inc.IVA)
Añade 3 paquetes para conseguir entrega gratuita
Disponible
- Disponible(s) 418 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Paquete(s) | Por Paquete |
|---|---|
| 1 - 9 | 28,06 € |
| 10 - 99 | 25,25 € |
| 100 + | 23,28 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 220-567
- Nº ref. fabric.:
- NTH4L013N120M3S
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 151A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | NTH | |
| Encapsulado | TO-247-4L | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 682W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 254nC | |
| Tensión directa Vf | 4.7V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | Halide Free and RoHS with Exemption 7a | |
| Altura | 5mm | |
| Anchura | 15.6 mm | |
| Longitud | 16.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 151A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie NTH | ||
Encapsulado TO-247-4L | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 682W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 254nC | ||
Tensión directa Vf 4.7V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares Halide Free and RoHS with Exemption 7a | ||
Altura 5mm | ||
Anchura 15.6 mm | ||
Longitud 16.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Los MOSFET de ON Semiconductor están optimizados para aplicaciones de conmutación rápida. La tecnología planar funciona de forma fiable con voltaje de puerta negativo y apaga los picos en la puerta. Esta familia tiene un rendimiento óptimo cuando se acciona con accionamiento de puerta de 18 V, pero también funciona bien con accionamiento de puerta de 15 V.
Sin haluros
Compatible con RoHS
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 750 V Mejora, TO-247-4L de 7 pines
- MOSFET VDSS 1700 V Mejora, TO-247-4L de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247-4L de 4 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, TO-247 de 4 pines