MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTH4L023N065M3S, VDSS 650 V, ID 67 A, Mejora, TO-247-4L de 4 pines

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Código RS:
277-043
Nº ref. fabric.:
NTH4L023N065M3S
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

67A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

NTH

Encapsulado

TO-247-4L

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

23mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Tensión directa Vf

6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

69nC

Disipación de potencia máxima Pd

245W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free 2LI

COO (País de Origen):
CN
Los MOSFET SiC de ON Semiconductor están optimizados para aplicaciones de conmutación rápida. La tecnología planar funciona de forma fiable con accionamiento de tensión negativa de puerta y suprime picos en la puerta. Tiene un rendimiento óptimo cuando se acciona con un accionamiento de puerta de 18 V, pero también funciona bien con un accionamiento de puerta de 15 V.

Carga de puerta ultrabaja

Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia

100 % a prueba de avalancha

El dispositivo no contiene haluros y cumple la directiva RoHS

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