MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVHL023N065M3S, VDSS 650 V, ID 70 A, N, TO-247-4L de 3 pines

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327-810
Nº ref. fabric.:
NVHL023N065M3S
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

70A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

NVH

Encapsulado

TO-247-4L

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

33mΩ

Modo de canal

N

Disipación de potencia máxima Pd

263W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

69nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Tensión directa Vf

4.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

Pb-Free, Halide Free and RoHS with Exemption 7a

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
ON Semiconductor El MOSFET de carburo de silicio (SiC), EliteSiC, es un dispositivo de 650 V y 23 mΩ en el encapsulado M3S TO-247-3L. Está diseñado para aplicaciones de potencia de alto rendimiento, ofrece baja resistencia a la conexión y características de conmutación superiores, por lo que es ideal para su uso en aplicaciones exigentes de electrónica de potencia, incluidos los sistemas industriales y de automoción.

Los dispositivos no contienen Pb y cumplen la directiva RoHS

Cualificado para automoción según AEC Q101

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