MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTHL023N065M3S, VDSS 650 V, ID 70 A, Mejora, TO-247-3L de 3 pines
- Código RS:
- 277-044
- Nº ref. fabric.:
- NTHL023N065M3S
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
10,58 €
(exc. IVA)
12,80 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 08 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 10,58 € |
| 10 - 99 | 9,53 € |
| 100 - 499 | 8,78 € |
| 500 - 999 | 8,15 € |
| 1000 + | 6,61 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 277-044
- Nº ref. fabric.:
- NTHL023N065M3S
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 70A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | NTH | |
| Encapsulado | TO-247-3L | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 23mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 263W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 69nC | |
| Tensión directa Vf | 6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free 2LI | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 70A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie NTH | ||
Encapsulado TO-247-3L | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 23mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 263W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 69nC | ||
Tensión directa Vf 6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free 2LI | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Los MOSFET SiC de ON Semiconductor están optimizados para aplicaciones de conmutación rápida. La tecnología planar funciona de forma fiable con accionamiento de tensión negativa de puerta y suprime picos en la puerta. Tiene un rendimiento óptimo cuando se acciona con un accionamiento de puerta de 18 V, pero también funciona bien con un accionamiento de puerta de 15 V.
Carga de puerta ultrabaja
Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia
100 % a prueba de avalancha
El dispositivo no contiene haluros y cumple la directiva RoHS
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, TO-247-3L de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V N, TO-247-4L de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines