MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTH4L032N065M3S, VDSS 650 V, ID 50 A, N, TO-247-4L de 4 pines
- Código RS:
- 327-805
- Nº ref. fabric.:
- NTH4L032N065M3S
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 327-805
- Nº ref. fabric.:
- NTH4L032N065M3S
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | NTH | |
| Encapsulado | TO-247-4L | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 44mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión directa Vf | 6V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 55nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 187W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free 2LI | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie NTH | ||
Encapsulado TO-247-4L | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 44mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión directa Vf 6V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 55nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 187W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free 2LI | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de carburo de silicio (SiC) de ON Semiconductor, EliteSiC, es un dispositivo de 650 V y 32 mΩ en el encapsulado M3S TO247-4L. Presenta una carga de puerta ultrabaja (QG(tot) = 55 nC) y conmutación de alta velocidad con baja capacitancia (Coss = 114 pF). El dispositivo ha sido probado al 100% contra avalanchas, no contiene haluros y cumple la directiva RoHS con la exención 7a. También está libre de Pb en la interconexión de segundo nivel, lo que lo hace adecuado para aplicaciones exigentes de electrónica de potencia.
Alta eficiencia y pérdidas de conmutación reducidas
Funcionamiento robusto y fiable en entornos difíciles
Ideal para aplicaciones de automoción, industria y energías renovables
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