MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVH4L023N065M3S, VDSS 650 V, ID 50 A, N, TO-247-4L de 4 pines

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327-806
Nº ref. fabric.:
NVH4L023N065M3S
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-247-4L

Serie

NVH

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

44mΩ

Modo de canal

N

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±22 V

Disipación de potencia máxima Pd

187W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

55nC

Tensión directa Vf

4.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free 2LI

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de carburo de silicio (SiC) de ON Semiconductor, EliteSiC, es un dispositivo de 650 V y 23 mΩ en el encapsulado M3S TO-247-4L. Está diseñado para la conversión de potencia de alta eficiencia y alto rendimiento, proporcionando baja resistencia a la conexión y conmutación rápida. Ideal para aplicaciones en automoción, industria y sistemas de energías renovables, este MOSFET garantiza un funcionamiento fiable en condiciones exigentes.

Los dispositivos no contienen Pb y cumplen la directiva RoHS

Cualificado para automoción según AEC Q101

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