MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTHL032N065M3S, VDSS 650 V, ID 51 A, N, TO-247-4L de 3 pines
- Código RS:
- 327-809
- Nº ref. fabric.:
- NTHL032N065M3S
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 unidad)*
8,68 €
(exc. IVA)
10,50 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 509 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 8,68 € |
| 10 - 99 | 7,81 € |
| 100 - 499 | 7,20 € |
| 500 - 999 | 6,68 € |
| 1000 + | 5,41 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 327-809
- Nº ref. fabric.:
- NTHL032N065M3S
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 51A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-247-4L | |
| Serie | NTH | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 44mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 200W | |
| Tensión directa Vf | 4.5V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 55nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 51A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-247-4L | ||
Serie NTH | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 44mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Disipación de potencia máxima Pd 200W | ||
Tensión directa Vf 4.5V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 55nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Los MOSFET de SiC de ON Semiconductor están optimizados para aplicaciones de conmutación rápida, con tecnología planar que garantiza un funcionamiento fiable con tensión de puerta negativa y picos de desconexión en la puerta. Esta familia de MOSFETs ofrece un rendimiento óptimo cuando se acciona con un accionamiento de puerta de 18 V, pero también funciona eficazmente con un accionamiento de puerta de 15 V.
Sin halogenuros y conforme a RoHS
accionamiento de puerta de 15 V a 18 V
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V N, TO-247-4L de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V N, TO-247-4L de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V N, TO-247-4L de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V N, TO-247-4L de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247-4L de 4 pines
- MOSFET VDSS 1200 V N, TO-247-4L de 4 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, TO-247-4L de 4 pines
- MOSFET VDSS 750 V Mejora, TO-247-4L de 7 pines