MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMFWS1D9N08XT1G, VDSS 80 V, ID 201 A, Mejora, SO-8FL de 8 pines

Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidad

Subtotal (1 tira de 2 unidades)*

6,91 €

(exc. IVA)

8,362 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 1488 unidad(es) más para enviar a partir del 10 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
Por Tira*
2 - 183,455 €6,91 €
20 - 1983,12 €6,24 €
200 - 9982,88 €5,76 €
1000 - 19982,665 €5,33 €
2000 +2,17 €4,34 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
220-571
Nº ref. fabric.:
NVMFWS1D9N08XT1G
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

201A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

SO-8FL

Serie

NVMFWS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.9mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.82V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

164W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

AEC and PPAP Capable

Altura

1mm

Longitud

4.9mm

Estándar de automoción

AEC-Q

COO (País de Origen):
MY
El MOSFET de ON Semiconductor tiene un QRR bajo. Este dispositivo no contiene Pb, halógenos ni BFR.

RDS(on) bajo para minimizar las pérdidas por conducción

Compatible con RoHS

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.