MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMFWS1D9N08XT1G, VDSS 80 V, ID 201 A, Mejora, SO-8FL de 8 pines
- Código RS:
- 220-571
- Nº ref. fabric.:
- NVMFWS1D9N08XT1G
- Fabricante:
- onsemi
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tira* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,665 € | 7,33 € |
| 20 - 198 | 3,31 € | 6,62 € |
| 200 - 998 | 3,055 € | 6,11 € |
| 1000 - 1998 | 2,825 € | 5,65 € |
| 2000 + | 2,305 € | 4,61 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 220-571
- Nº ref. fabric.:
- NVMFWS1D9N08XT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 201A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | SO-8FL | |
| Serie | NVMFWS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 164W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.82V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC and PPAP Capable | |
| Altura | 1mm | |
| Anchura | 5.9mm | |
| Longitud | 4.9mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 201A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado SO-8FL | ||
Serie NVMFWS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 164W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.82V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares AEC and PPAP Capable | ||
Altura 1mm | ||
Anchura 5.9mm | ||
Longitud 4.9mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q | ||
- COO (País de Origen):
- MY
El MOSFET de ON Semiconductor tiene un QRR bajo. Este dispositivo no contiene Pb, halógenos ni BFR.
RDS(on) bajo para minimizar las pérdidas por conducción
Compatible con RoHS
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