MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS2D1N08XT1G, VDSS 80 V, ID 201 A, Mejora, SO-8FL de 8 pines
- Código RS:
- 220-600
- Nº ref. fabric.:
- NTMFS2D1N08XT1G
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tira de 5 unidades)*
15,06 €
(exc. IVA)
18,225 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 1300 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tira* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 3,012 € | 15,06 € |
| 50 - 95 | 2,864 € | 14,32 € |
| 100 - 495 | 2,65 € | 13,25 € |
| 500 - 995 | 2,438 € | 12,19 € |
| 1000 + | 2,35 € | 11,75 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 220-600
- Nº ref. fabric.:
- NTMFS2D1N08XT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 201A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | NTMFS | |
| Encapsulado | SO-8FL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 164W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 63nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 6.15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 201A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie NTMFS | ||
Encapsulado SO-8FL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 164W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 6.15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
El MOSFET de ON Semiconductor es el mejor producto de su clase en el mercado de 80 V. Este producto será la mejor solución en Cloud Power, 5G Telecom, otras aplicaciones PSU, DC/DC y aplicaciones industriales. Y esto proporciona un mejor rendimiento con una mayor eficiencia del sistema y una alta densidad de potencia con características de rendimiento por debajo.
Sin halógenos
Compatible con RoHS
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SO-8FL de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SO-8FL de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SO-8FL de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SO-8FL de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SO-8FL de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SO-8FL de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SO-8FL de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SO-8FL de 8 pines
