MOSFET, N-Canal onsemi NTMFS1D1N04XMT1G, VDSS 40 V, ID 233 A, Mejora, DFN-5 de 5 pines
- Código RS:
- 220-597
- Nº ref. fabric.:
- NTMFS1D1N04XMT1G
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 220-597
- Nº ref. fabric.:
- NTMFS1D1N04XMT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 233A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | NTMFS | |
| Encapsulado | DFN-5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.05mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 49.1nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 104W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 5.15mm | |
| Longitud | 6.15mm | |
| Altura | 1mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 233A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie NTMFS | ||
Encapsulado DFN-5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.05mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 49.1nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 104W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 5.15mm | ||
Longitud 6.15mm | ||
Altura 1mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
La tecnología MOSFET de potencia de ON Semiconductor con la mejor resistencia de conexión de su clase para aplicaciones de controladores de motor. Una menor resistencia a la conexión y una menor carga en la puerta pueden reducir las pérdidas de conducción. Un buen control de la suavidad para la recuperación inversa del diodo del cuerpo puede reducir el estrés de los picos de tensión sin circuito snubber adicional en la aplicación.
Sin halógenos
Compatible con RoHS
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