MOSFET sencillos, Tipo N-Canal onsemi NVMFWS1D1N04XMT1G, VDSS 40 V, ID 233 A, Mejora, DFNW-5 de 5 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
648-512
Nº ref. fabric.:
NVMFWS1D1N04XMT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

233A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

NVM

Encapsulado

DFNW-5

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.05mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

104W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

49.3nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

RoHS, Pb-Free

Anchura

6 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
MY
El MOSFET de potencia de automoción de ON Semiconductor en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para diseños compactos y eficientes e incluye un alto rendimiento térmico. Opción de flanco húmedo disponible para inspección óptica mejorada. MOSFET calificado AEC-Q101 y capaz de PPAP adecuado para aplicaciones de automoción.

Pequeño tamaño

RDS(on) baja

QG y capacitancia bajas

Opción de flanco húmedo

Conforme a RoHS

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