MOSFET sencillos, Tipo N-Canal onsemi NVMFWS1D3N04XMT1G, VDSS 40 V, ID 195 A, Mejora, DFNW-5 de 5 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 tira de 5 unidades)*

8,17 €

(exc. IVA)

9,885 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 1500 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Tira*
5 - 451,634 €8,17 €
50 - 2451,012 €5,06 €
250 - 4950,586 €2,93 €
500 +0,572 €2,86 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
648-511
Nº ref. fabric.:
NVMFWS1D3N04XMT1G
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

195A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

NVM

Encapsulado

DFNW-5

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

38.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

90W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Tensión directa Vf

0.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

5.90 mm

Altura

1mm

Certificaciones y estándares

RoHS, Pb-Free

Longitud

4.9mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
MY
El MOSFET de potencia de automoción de ON Semiconductor en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para diseños compactos y eficientes e incluye un alto rendimiento térmico. Opción de flanco húmedo disponible para inspección óptica mejorada. MOSFET calificado AEC-Q101 y capaz de PPAP adecuado para aplicaciones de automoción.

Pequeño tamaño

RDS(on) baja

QG y capacitancia bajas

Opción de flanco húmedo

Conforme a RoHS

Enlaces relacionados