MOSFET sencillos, N-Canal onsemi NVMFWS1D3N04XMT1G, VDSS 40 V, ID 195 A, Mejora, DFNW-5 de 5 pines
- Código RS:
- 648-511
- Nº ref. fabric.:
- NVMFWS1D3N04XMT1G
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tira de 5 unidades)*
8,69 €
(exc. IVA)
10,515 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- 1500 Envío desde el 02 de junio de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tira* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,738 € | 8,69 € |
| 50 - 245 | 1,078 € | 5,39 € |
| 250 - 495 | 0,622 € | 3,11 € |
| 500 + | 0,608 € | 3,04 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 648-511
- Nº ref. fabric.:
- NVMFWS1D3N04XMT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 195A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | NVM | |
| Encapsulado | DFNW-5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 38.6nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 90W | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 5.9mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, Pb-Free | |
| Longitud | 4.9mm | |
| Altura | 1mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 195A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie NVM | ||
Encapsulado DFNW-5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 38.6nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 90W | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 5.9mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, Pb-Free | ||
Longitud 4.9mm | ||
Altura 1mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- MY
El MOSFET de potencia de automoción de ON Semiconductor en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para diseños compactos y eficientes e incluye un alto rendimiento térmico. Opción de flanco húmedo disponible para inspección óptica mejorada. MOSFET calificado AEC-Q101 y capaz de PPAP adecuado para aplicaciones de automoción.
Pequeño tamaño
RDS(on) baja
QG y capacitancia bajas
Opción de flanco húmedo
Conforme a RoHS
Enlaces relacionados
- MOSFET sencillos VDSS 40 V Mejora, DFNW-5 de 5 pines
- MOSFET sencillos VDSS 40 V Mejora, DFNW-5 de 5 pines
- MOSFET sencillos VDSS 40 V Mejora, DFNW-5 de 5 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, DFNW-5 de 5 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, DFNW-5 de 5 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, DFNW-5 de 5 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, DFN-5 de 5 pines
- MOSFET sencillos VDSS 40 V Mejora, DFN-5 de 5 pines