MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMFWS2D3N04XMT1G, VDSS 40 V, ID 121 A, Mejora, DFNW-5 de 5 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
220-573
Nº ref. fabric.:
NVMFWS2D3N04XMT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

121A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

DFNW-5

Serie

NVMFWS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.35mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.82V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22.2nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

63W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

AECQ101 Qualified and PPAP Capable

Anchura

6 mm

Longitud

5mm

Estándar de automoción

AEC-Q

COO (País de Origen):
MY
El MOSFET de ON Semiconductor tiene baja capacitancia para minimizar las pérdidas del excitador. Este dispositivo no contiene Pb, halógenos ni BFR.

RDS(on) bajo para minimizar las pérdidas por conducción

Compatible con RoHS

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