MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMFWS2D3N04XMT1G, VDSS 40 V, ID 121 A, Mejora, DFNW-5 de 5 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
220-573
Nº ref. fabric.:
NVMFWS2D3N04XMT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

121A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

NVMFWS

Encapsulado

DFNW-5

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.35mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22.2nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

63W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Tensión directa Vf

0.82V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

5mm

Anchura

6 mm

Certificaciones y estándares

AECQ101 Qualified and PPAP Capable

Estándar de automoción

AEC-Q

COO (País de Origen):
MY
El MOSFET de ON Semiconductor tiene baja capacitancia para minimizar las pérdidas del excitador. Este dispositivo no contiene Pb, halógenos ni BFR.

RDS(on) bajo para minimizar las pérdidas por conducción

Compatible con RoHS

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