MOSFET, N-Canal onsemi NVMFWS2D3N04XMT1G, VDSS 40 V, ID 121 A, Mejora, DFNW-5 de 5 pines
- Código RS:
- 220-573
- Nº ref. fabric.:
- NVMFWS2D3N04XMT1G
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 220-573
- Nº ref. fabric.:
- NVMFWS2D3N04XMT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 121A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | NVMFWS | |
| Encapsulado | DFNW-5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.35mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.82V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22.2nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 63W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | AECQ101 Qualified and PPAP Capable | |
| Anchura | 6mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 121A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie NVMFWS | ||
Encapsulado DFNW-5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.35mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.82V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22.2nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 63W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares AECQ101 Qualified and PPAP Capable | ||
Anchura 6mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q | ||
- COO (País de Origen):
- MY
El MOSFET de ON Semiconductor tiene baja capacitancia para minimizar las pérdidas del excitador. Este dispositivo no contiene Pb, halógenos ni BFR.
RDS(on) bajo para minimizar las pérdidas por conducción
Compatible con RoHS
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