MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMFWS2D5N08XT1G, VDSS 80 V, ID 156 A, Mejora, DFNW-5 de 5 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
220-574
Nº ref. fabric.:
NVMFWS2D5N08XT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

156A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

NVMFWS

Encapsulado

DFNW-5

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.55mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

45nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.82V

Disipación de potencia máxima Pd

133W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Longitud

5mm

Anchura

6 mm

Estándar de automoción

AEC-Q

COO (País de Origen):
MY
El MOSFET de potencia de ON Semiconductor en un encapsulado plano de 5x6mm diseñado para diseños compactos y eficientes e incluyendo un alto rendimiento térmico. Opción de flanco mojable disponible para mejorar la inspección óptica. MOSFET con calificación AEC-Q101 y apto para PPAP adecuado para aplicaciones de automoción.

Sin halógenos

Compatible con RoHS

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