MOSFET, N-Canal onsemi NVMFWS2D5N08XT1G, VDSS 80 V, ID 156 A, Mejora, DFNW-5 de 5 pines
- Código RS:
- 220-574
- Nº ref. fabric.:
- NVMFWS2D5N08XT1G
- Fabricante:
- onsemi
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tira* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 3,238 € | 16,19 € |
| 50 - 95 | 3,076 € | 15,38 € |
| 100 - 495 | 2,848 € | 14,24 € |
| 500 - 995 | 2,624 € | 13,12 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 220-574
- Nº ref. fabric.:
- NVMFWS2D5N08XT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 156A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | DFNW-5 | |
| Serie | NVMFWS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.55mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 133W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 45nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 0.82V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Anchura | 6mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 156A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado DFNW-5 | ||
Serie NVMFWS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.55mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 133W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 45nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 0.82V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Anchura 6mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q | ||
- COO (País de Origen):
- MY
El MOSFET de potencia de ON Semiconductor en un encapsulado plano de 5x6mm diseñado para diseños compactos y eficientes e incluyendo un alto rendimiento térmico. Opción de flanco mojable disponible para mejorar la inspección óptica. MOSFET con calificación AEC-Q101 y apto para PPAP adecuado para aplicaciones de automoción.
Sin halógenos
Compatible con RoHS
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