MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMFWS1D5N08XT1G, VDSS 80 V, ID 253 A, Mejora, DFNW-5 de 5 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
220-570
Nº ref. fabric.:
NVMFWS1D5N08XT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

253A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

NVMFWS

Encapsulado

DFNW-5

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.43mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18nC

Tensión directa Vf

0.8V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

194W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Anchura

6 mm

Estándar de automoción

AEC-Q

COO (País de Origen):
MY
El MOSFET de ON Semiconductor en un encapsulado plano de 5x6mm diseñado para diseños compactos y eficientes e incluyendo un alto rendimiento térmico. Opción de flanco mojable disponible para mejorar la inspección óptica. MOSFET con calificación AEC-Q101 y apto para PPAP adecuado para aplicaciones de automoción.

Sin halógenos

Compatible con RoHS

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