MOSFET, Tipo N-Canal ROHM R6086YNZC17, VDSS 600 V, ID 33 A, Mejora, TO-3PF de 3 pines
- Código RS:
- 264-632
- Nº ref. fabric.:
- R6086YNZC17
- Fabricante:
- ROHM
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
11,53 €
(exc. IVA)
13,95 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 120 unidad(es) más para enviar a partir del 02 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 11,53 € |
| 10 - 99 | 10,38 € |
| 100 + | 10,36 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 264-632
- Nº ref. fabric.:
- R6086YNZC17
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 33A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-3PF | |
| Serie | R60 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 44mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 110nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 114W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 33A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-3PF | ||
Serie R60 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 44mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 110nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 114W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia ROHM de canal N de 600 V y 33 A en encapsulado TO-3PF presenta una baja resistencia a la conexión, lo que lo hace ideal para aplicaciones de conmutación.
Baja resistencia
Conmutación rápida
Los circuitos de accionamiento pueden ser sencillos
Revestimiento sin Pb y conforme a RoHS
Compuesto de moldeo sin halógenos
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-3PF de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-3PF de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-3PF de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-3PF de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V N, TO-3PF de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V N, TO-3PF de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V N, TO-3PF de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V N, TO-3PF de 3 pines