MOSFET, N-Canal ROHM, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, TO-3PF de 3 pines

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Código RS:
265-5424
Nº ref. fabric.:
R6077VNZC17
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

29A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-3PF

Serie

R6077VNZ

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.051Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

108nC

Disipación de potencia máxima Pd

113W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia ROHM con una baja resistencia de encendido y encapsulado de alta potencia es adecuado para circuitos de conmutación, aplicaciones de batería de una célula y aplicaciones móviles. Se monta en una placa de cobre y no contiene halógenos.

Tiempo de recuperación inverso rápido (trr)

Baja resistencia de encendido

Velocidad de conmutación rápida

Los circuitos de accionamiento pueden ser sencillos

Compuesto de molde sin halógenos

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