MOSFET, Tipo N-Canal ROHM, VDSS 600 V, ID 23 A, Mejora, TO-3PF de 3 pines
- Código RS:
- 265-5421
- Nº ref. fabric.:
- R6055VNZC17
- Fabricante:
- ROHM
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 265-5421
- Nº ref. fabric.:
- R6055VNZC17
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 23A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | R6055VNZ | |
| Encapsulado | TO-3PF | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.071Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 99W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | Pb-Free Plating, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 23A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie R6055VNZ | ||
Encapsulado TO-3PF | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.071Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 99W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares Pb-Free Plating, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia ROHM con una baja resistencia de encendido y encapsulado de alta potencia es adecuado para circuitos de conmutación, aplicaciones de batería de una célula y aplicaciones móviles.
Tiempo de recuperación inverso rápido (trr)
Baja resistencia de encendido
Velocidad de conmutación rápida
Los circuitos de accionamiento pueden ser sencillos
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