MOSFET, N-Canal ROHM RV7L020GNTCR1, VDSS 60 V, ID 2 A, Mejora, DFN1212-3 de 3 pines
- Código RS:
- 265-382
- Nº ref. fabric.:
- RV7L020GNTCR1
- Fabricante:
- ROHM
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tira de 25 unidades)*
6,10 €
(exc. IVA)
7,38 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 100 unidad(es) más para enviar a partir del 21 de octubre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tira* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 0,244 € | 6,10 € |
| 100 - 225 | 0,232 € | 5,80 € |
| 250 - 475 | 0,215 € | 5,38 € |
| 500 - 975 | 0,198 € | 4,95 € |
| 1000 + | 0,19 € | 4,75 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 265-382
- Nº ref. fabric.:
- RV7L020GNTCR1
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | DFN1212-3 | |
| Serie | RV7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 157mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.1nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.1W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 1.2mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 1.2mm | |
| Altura | 500μm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado DFN1212-3 | ||
Serie RV7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 157mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.1nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.1W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 1.2mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 1.2mm | ||
Altura 500μm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET ROHM está diseñado para aplicaciones de conmutación y conmutación de carga. Alojado en un encapsulado de plástico SMD ultrapequeño sin plomo de 1,2x1,2x0,5 mm con una almohadilla de drenaje expuesta, ofrece una excelente conducción térmica, garantizando un rendimiento eficiente en diseños electrónicos compactos.
Conforme con RoHS
Resistencia de conexión baja
Revestimiento de plomo sin plomo
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, DFN1212-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS -20 V Reducción, DFN1212-3 de 4 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-346 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, UMT3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, SOT-346 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TSMT-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, UMT3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 20 V Mejora, SMM1006 de 3 pines