MOSFET Infineon IPB018N10N5ATMA1, VDSS 100 V, ID 176 A, PG-TO263-3 de 3 pines

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Código RS:
284-676
Nº ref. fabric.:
IPB018N10N5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

176 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Serie

OptiMOS

Tipo de Encapsulado

PG-TO263-3

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Modo de Canal

Mejora

Material del transistor

SiC

Número de Elementos por Chip

1

El MOSFET de Infineon cuenta con un transistor de potencia optimos 5 está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta frecuencia, garantizando un rendimiento superior en entornos exigentes. Este avanzado MOSFET de canal N destaca por su baja resistencia a la conexión, que mejora significativamente la eficiencia y minimiza la generación de calor. Con un notable rango de temperaturas de funcionamiento, está construido para soportar los rigores de los sistemas electrónicos modernos. Su compacto encapsulado D²PAK simplifica la integración en diversos conjuntos electrónicos, lo que lo convierte en una opción versátil para los ingenieros que buscan optimizar sus diseños. Este dispositivo ha sido plenamente cualificado conforme a las normas JEDEC, lo que confirma su fiabilidad para aplicaciones industriales.

Ideal para conmutación de alta frecuencia
La baja resistencia de encendido mejora la gestión de la energía
El revestimiento de plomo sin plomo cumple la normativa
El diseño sin halógenos cumple la normativa
Optimizado para obtener métricas de rendimiento superiores
Cualificado para aplicaciones industriales
Sus avanzadas características térmicas mejoran la disipación del calor

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