MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB339N20NM6ATMA1, VDSS 200 V, ID 39 A, Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
- Código RS:
- 349-401
- Nº ref. fabric.:
- IPB339N20NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
17,75 €
(exc. IVA)
21,50 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 1000 unidad(es) más para enviar a partir del 12 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 3,55 € | 17,75 € |
| 50 - 95 | 3,372 € | 16,86 € |
| 100 + | 3,126 € | 15,63 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 349-401
- Nº ref. fabric.:
- IPB339N20NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 39A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Serie | OptiMOS-TM6 | |
| Encapsulado | PG-TO263-3 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 33.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15.9nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 39A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Serie OptiMOS-TM6 | ||
Encapsulado PG-TO263-3 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 33.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15.9nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este transistor de potencia OptiMOS 6 de 200 V de Infineon es un MOSFET de canal N, de nivel normal, diseñado para aplicaciones de potencia de alta eficiencia. Ofrece una resistencia en estado encendido (RDS(on)) muy baja, lo que garantiza unas pérdidas de conducción mínimas. Con un excelente producto de carga de puerta x RDS(on) (FOM), ofrece un rendimiento de conmutación superior. Este MOSFET también registra una carga de recuperación inversa (Qrr) muy baja, lo que mejora la eficiencia global.
Revestimiento de plomo: sin Pb
Conforme a RoHS
Sin halógenos según IEC61249-2-21
Clasificación MSL 1 según J-STD-020
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines