MOSFET Infineon IPB65R099CFD7AATMA1, VDSS 650 V, ID 107 A, TO-263 de 3 pines

Código RS:: 273-2777
Nº ref. fabric.:: IPB65R099CFD7AATMA1
Fabricante:: Infineon

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Precio unitario (Suministrado en Carretes de 1000)

2,912 €

(exc. IVA)

3,524 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
1000 +	2,912 €	2.912,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 273-2777
Nº ref. fabric.:: IPB65R099CFD7AATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - IPB65R099CFD7AATMA1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El MOSFET de Infineon es un dispositivo de alimentación CoolMOS CFD7A de 650 V. Se trata de una última generación de MOSFET CoolMOS de alta tensión, calificados para automoción y líderes en el mercado, de Infineon. Además de los atributos bien conocidos de alta calidad y fiabilidad que requiere la industria de automoción, la nueva serie CoolMOS CFD7A proporciona un diodo de cuerpo rápido integrado y se puede utilizar para PFC y topologías de conmutación de resonancia como el puente completo de desplazamiento de fase ZVS y LLC.

Pérdidas de conmutación más bajas
Alta calidad y fiabilidad
Prueba de avalancha al 100 %
Optimizado para tensiones de batería más altas

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	107 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Tipo de Encapsulado	TO-263
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Modo de Canal	Mejora
Número de Elementos por Chip	1

MOSFET Infineon IPB65R099CFD7AATMA1, VDSS 650 V, ID 107 A, TO-263 de 3 pines

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