MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 21 A, Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
- Código RS:
- 273-2780
- Nº ref. fabric.:
- IPB65R115CFD7AATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Consigue un descuento por cantidad
Añade 50 más para ahorrar 16,00 €
Ver precios por cantidadSubtotal (1 unidad)*
5,26 €
(exc. IVA)
6,36 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 100 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Ahorro |
|---|---|---|
| 1 - 49 | 5,26 € | - |
| 50 - 99 | 4,94 € | 16,00 € |
| 100 - 249 | 4,84 € | 42,00 € |
| 250 - 499 | 4,70 € | 140,00 € |
| 500 + | 4,58 € | 340,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 273-2780
- Nº ref. fabric.:
- IPB65R115CFD7AATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 21A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | PG-TO263-3 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.115Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 41nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 114W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 21A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado PG-TO263-3 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.115Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 41nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 114W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de Infineon es un dispositivo de alimentación CoolMOS CFD7A de 650 V. Se trata de una última generación de MOSFET CoolMOS de alta tensión, calificados para automoción y líderes en el mercado, de Infineon. Además de los atributos bien conocidos de alta calidad y fiabilidad que requiere la industria de automoción, la nueva serie CoolMOS CFD7A proporciona un diodo de cuerpo rápido integrado y se puede utilizar para PFC y topologías de conmutación de resonancia como el puente completo de desplazamiento de fase ZVS y LLC.
Pérdidas de conmutación más bajas
Alta calidad y fiabilidad
Prueba de avalancha al 100 %
Optimizado para tensiones de batería más altas
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
- MOSFET Infineon VDSS 650 V Mejora de 7 pines, 1
- MOSFET VDSS 650 V PG-TO263-7, Mejora de 7 pines
- MOSFET VDSS 650 V PG-TO263-7, Mejora de 7 pines