MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB65R115CFD7AATMA1, VDSS 650 V, ID 21 A, Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines

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Código RS:
273-2779
Nº ref. fabric.:
IPB65R115CFD7AATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

21A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

PG-TO263-3

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.115Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

114W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

41nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de Infineon es un dispositivo de alimentación CoolMOS CFD7A de 650 V. Se trata de una última generación de MOSFET CoolMOS de alta tensión, calificados para automoción y líderes en el mercado, de Infineon. Además de los atributos bien conocidos de alta calidad y fiabilidad que requiere la industria de automoción, la nueva serie CoolMOS CFD7A proporciona un diodo de cuerpo rápido integrado y se puede utilizar para PFC y topologías de conmutación de resonancia como el puente completo de desplazamiento de fase ZVS y LLC.

Pérdidas de conmutación más bajas

Alta calidad y fiabilidad

Prueba de avalancha al 100 %

Optimizado para tensiones de batería más altas

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