MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB65R115CFD7AATMA1, VDSS 650 V, ID 21 A, Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
- Código RS:
- 273-2779
- Nº ref. fabric.:
- IPB65R115CFD7AATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- 273-2779
- Nº ref. fabric.:
- IPB65R115CFD7AATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 21A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PG-TO263-3 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.115Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 41nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 114W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 21A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PG-TO263-3 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.115Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 41nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 114W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
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