MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 45 A, Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
- Código RS:
- 273-2998
- Nº ref. fabric.:
- IPB057N06NATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,242 € | 6,21 € |
| 50 - 95 | 1,154 € | 5,77 € |
| 100 - 245 | 1,018 € | 5,09 € |
| 250 - 495 | 0,982 € | 4,91 € |
| 500 + | 0,866 € | 4,33 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 273-2998
- Nº ref. fabric.:
- IPB057N06NATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 45A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | IPB057N06N | |
| Encapsulado | PG-TO263-3 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -5°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 27nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 40 mm | |
| Altura | 1.5mm | |
| Longitud | 40mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC 1, IEC61249-2-21 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 45A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie IPB057N06N | ||
Encapsulado PG-TO263-3 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -5°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 27nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 40 mm | ||
Altura 1.5mm | ||
Longitud 40mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC 1, IEC61249-2-21 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de Infineon está optimizado para la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS), como las que se encuentran en servidores y ordenadores de sobremesa y cargador de tableta. Además, estos dispositivos son una elección perfecta para una amplia gama de aplicaciones industriales
Eficiencia del sistema más alta
Menos paralelismo necesario
Mayor densidad de potencia
Reducción de costes del sistema
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