MOSFET, N-Canal Infineon IPB068N20NM6ATMA1, VDSS 200 V, ID 134 A, Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
- Código RS:
- 349-400
- Nº ref. fabric.:
- IPB068N20NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-400
- Nº ref. fabric.:
- IPB068N20NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 134A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Serie | OptiMOS-TM6 | |
| Encapsulado | PG-TO263-3 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 73nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 134A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Serie OptiMOS-TM6 | ||
Encapsulado PG-TO263-3 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 73nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
MOSFET de la serie OptiMOS-TM6 de Infineon, disipación de potencia máxima de 300 W, tensión de fuente de drenaje máxima de 200 V - IPB068N20NM6ATMA1
Este MOSFET de mejora de canal n es un dispositivo de conmutación de alta corriente diseñado para aplicaciones de gestión de potencia que requieren bajas pérdidas por conducción y un rendimiento térmico robusto. Funciona como un transistor de montaje en superficie en un encapsulado PG-TO263-3, adecuado para circuitos donde se necesita una conmutación compacta de alta potencia en un amplio rango de temperaturas.
Características y ventajas:
• La potencia nominal de drenaje-fuente de 200 V permite una capacidad de conmutación de alta tensión
• La baja Rds(on) de 6,8 mΩ reduce las pérdidas por conducción a altas corrientes
• La corriente de drenaje continua 134 A admite aplicaciones de alta corriente
• La disipación de potencia de 300 W permite una carga térmica sostenida
• La carga de puerta típica de 73 nC proporciona transiciones de puerta más rápidas
• El rango de funcionamiento de -55 a 175 °C soporta entornos de temperatura exigentes
• La baja Rds(on) de 6,8 mΩ reduce las pérdidas por conducción a altas corrientes
• La corriente de drenaje continua 134 A admite aplicaciones de alta corriente
• La disipación de potencia de 300 W permite una carga térmica sostenida
• La carga de puerta típica de 73 nC proporciona transiciones de puerta más rápidas
• El rango de funcionamiento de -55 a 175 °C soporta entornos de temperatura exigentes
Aplicaciones
• Apto para rectificación síncrona en fuentes de alimentación
• Ideal para convertidores dc-dc en carriles de alta tensión
• Se utiliza con controladores de motor que requieren alta corriente continua
• Puede utilizarse para interruptores de carga en sistemas de alimentación industriales
• Apto para módulos de gestión de potencia de alta temperatura
• Ideal para convertidores dc-dc en carriles de alta tensión
• Se utiliza con controladores de motor que requieren alta corriente continua
• Puede utilizarse para interruptores de carga en sistemas de alimentación industriales
• Apto para módulos de gestión de potencia de alta temperatura
¿Qué método de montaje es necesario para un contacto térmico fiable?
El dispositivo está diseñado para montaje en superficie
El encapsulado PG-TO263-3 permite la fijación de PCB soldada con una almohadilla térmica grande para facilitar la transferencia de calor a la placa y las disposiciones de disipación térmica.
¿Cómo afecta el requisito de accionamiento de puerta al diseño de conmutación?
La tensión máxima de fuente de puerta es de 20 V y la carga de puerta típica es de 73 nC, por lo que la selección de controlador de puerta debe proporcionar una corriente suficiente para lograr la velocidad de conmutación deseada al tiempo que se respetan los límites de Vgs.
¿Qué condiciones ambientales puede soportar?
Cumple los estándares especificados, incluidos RoHS y niveles de tensión de temperatura/humedad especificados por IEC, y está clasificado para funcionar de -55 a 175 °C para su uso en entornos térmicos exigentes.
¿Qué límites eléctricos protegen contra sobretensión?
La tensión máxima de drenaje de fuente del dispositivo es de 200 V y su corriente nominal de drenaje continuo es de 134 A
los diseños deben incluir una limitación de corriente adecuada y protección contra transitorios para evitar exceder estos parámetros.
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