MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB057N06NATMA1, VDSS 60 V, ID 45 A, Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines
- Código RS:
- 273-2997
- Nº ref. fabric.:
- IPB057N06NATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-2997
- Nº ref. fabric.:
- IPB057N06NATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 45A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PG-TO263-3 | |
| Serie | IPB057N06N | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -5°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 27nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC 1, IEC61249-2-21 | |
| Altura | 1.5mm | |
| Longitud | 40mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 45A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PG-TO263-3 | ||
Serie IPB057N06N | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -5°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 27nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC 1, IEC61249-2-21 | ||
Altura 1.5mm | ||
Longitud 40mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de Infineon está optimizado para la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS), como las que se encuentran en servidores y ordenadores de sobremesa y cargador de tableta. Además, estos dispositivos son una elección perfecta para una amplia gama de aplicaciones industriales
Eficiencia del sistema más alta
Menos paralelismo necesario
Mayor densidad de potencia
Reducción de costes del sistema
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