MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB057N06NATMA1, VDSS 60 V, ID 45 A, Mejora, PG-TO263-3 de 3 pines

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Código RS:
273-2997
Nº ref. fabric.:
IPB057N06NATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

45A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PG-TO263-3

Serie

IPB057N06N

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

83W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

27nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-5°C

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.5mm

Anchura

40 mm

Longitud

40mm

Certificaciones y estándares

JEDEC 1, IEC61249-2-21

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de Infineon está optimizado para la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS), como las que se encuentran en servidores y ordenadores de sobremesa y cargador de tableta. Además, estos dispositivos son una elección perfecta para una amplia gama de aplicaciones industriales

Eficiencia del sistema más alta

Menos paralelismo necesario

Mayor densidad de potencia

Reducción de costes del sistema

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