MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPTC007N06NM5ATMA1, VDSS 60 V, ID 454 A, Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines
- Código RS:
- 284-691
- Nº ref. fabric.:
- IPTC007N06NM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
No disponible actualmente
Lo sentimos, no sabemos cuándo volverá a estar disponible
- Código RS:
- 284-691
- Nº ref. fabric.:
- IPTC007N06NM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 454A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | PG-HDSOP-16 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 16 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.75mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 454A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado PG-HDSOP-16 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 16 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.75mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon dispone de un transistor de potencia OptiMOS 5 diseñado para aplicaciones de alto rendimiento en accionamientos de motor y sistemas alimentados por batería. Este dispositivo destaca por su robusto valor nominal de 60 V y su excelente rendimiento térmico, lo que garantiza la fiabilidad en entornos exigentes. Con características optimizadas para la refrigeración del lado superior, este transistor proporciona altas capacidades de corriente al tiempo que mantiene la eficiencia bajo estándares operativos estrictos. Completamente calificado de acuerdo con JEDEC para aplicaciones industriales, supera los criterios de prueba de avalancha del 100%, lo que garantiza la resiliencia contra condiciones inesperadas. El diseño de encapsulado PG HDSOP 16 no solo promueve una refrigeración mejorada, sino que también ayuda a la integración de manera eficiente en el espacio dentro de varios diseños.
Optimizado para accionamientos de motor eficientes
Diseño de canal N para facilitar la integración
El chapado de plomo sin plomo cumple los estándares ambientales
Sin halógenos para una gestión más segura del ciclo de vida
Valor nominal de 175 °C para mejorar la fiabilidad
100% probado contra avalanchas para garantizar la seguridad
La gestión térmica superior prolonga la vida útil
Compatible con el encapsulado estándar del sector
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines
- MOSFET Infineon IPTC012N06NM5ATMA1 ID 311 A, PG-HDSOP-16 de 16 pines
- MOSFET VDSS 120 V Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines
- MOSFET VDSS 650 V PG-HDSOP-16, Mejora de 16 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines
