MOSFET Infineon IPDQ60R017S7XTMA1, VDSS 600 V, ID 30 A, PG-HDSOP-22 de 22 pines

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Código RS:
284-737
Nº ref. fabric.:
IPDQ60R017S7XTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

30 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

PG-HDSOP-22

Serie

600V CoolMOS

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

22

Modo de Canal

Mejora

Material del transistor

SiC

Número de Elementos por Chip

1

El MOSFET de Infineon inaugura una nueva era de soluciones de conmutación de alta tensión. Diseñado como un interruptor estático que utiliza la tecnología de superunión, ofrece un rendimiento óptimo manteniendo un tamaño compacto. Con una tensión nominal de 600 V, garantiza un funcionamiento fiable en aplicaciones exigentes como disyuntores y configuraciones de alta corriente. La serie S7A, con su avanzado diseño, mejora la eficiencia y el rendimiento térmico, por lo que resulta ideal para su uso en diseños de gestión térmica. Su patilla Kelvin Source mejora significativamente el comportamiento de conmutación, garantizando un timbre mínimo y la máxima estabilidad. Con la cualificación AEC Q101 demostrada, este producto está diseñado con precisión para ofrecer seguridad y rendimiento, lo que lo convierte en la opción preferida de los ingenieros que buscan soluciones sólidas en aplicaciones de alta potencia.

Optimizado para aplicaciones de baja frecuencia de conmutación
Rendimiento térmico superior en diseños de alta corriente
La transición a los MOSFET aumenta la eficiencia del sistema
Compatible con MSL1 para facilitar la integración
La avanzada tecnología S7A ofrece una resistencia compacta
Diseño robusto que admite el funcionamiento a alta frecuencia

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