MOSFET Infineon IQE046N08LM5CGATMA1, VDSS 80 V, ID 99 A, PG-TTFN-9 de 9 pines

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Código RS:
284-763
Nº ref. fabric.:
IQE046N08LM5CGATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

99 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Tipo de Encapsulado

PG-TTFN-9

Serie

OptiMOS

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

9

Modo de Canal

Mejora

Material del transistor

SiC

Número de Elementos por Chip

1

El transistor de potencia MOSFET de Infineon está diseñado para fuentes de alimentación conmutadas de alto rendimiento, optimizando aplicaciones como la rectificación síncrona. Su innovadora construcción MOSFET de canal N y nivel lógico garantiza una eficiencia notable y unas pérdidas de energía mínimas. Con una resistencia térmica que mejora la gestión a distintas temperaturas, este producto cumple plenamente las normas RoHS y de ausencia de halógenos, lo que lo convierte en una opción respetuosa con el medio ambiente. Construido con un enfoque en la fiabilidad, soporta pruebas exhaustivas, garantizando un rendimiento constante en aplicaciones industriales exigentes. Su avanzado diseño promete unas excepcionales características de resistencia, que permiten altas corrientes para una conversión de potencia eficiente.

Optimizado para SMPS de alto rendimiento
El diseño de canal N reduce la resistencia
Cumple la directiva RoHS sobre seguridad medioambiental
Avalancha probada para garantizar la fiabilidad
Funcionamiento a nivel lógico para tensiones de puerta bajas
Excelente resistencia térmica para un funcionamiento más frío
Sin halógenos para iniciativas ecológicas

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