MOSFET Infineon IQE065N10NM5SCATMA1, VDSS 100 V, ID 85 A, PG-WHSON-8 de 8 pines

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Código RS:
284-779
Nº ref. fabric.:
IQE065N10NM5SCATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

85 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Serie

OptiMOS

Tipo de Encapsulado

PG-WHSON-8

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Modo de Canal

Mejora

Material del transistor

SiC

Número de Elementos por Chip

1

El MOSFET de Infineon cuenta con un transistor de potencia OptiMOS 5 está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento, ofreciendo capacidades robustas en rectificación síncrona para fuentes de alimentación conmutadas. Este MOSFET de canal N presenta un encapsulado PG WHSON 8 compacto, diseñado por expertos para gestionar mayores niveles de potencia al tiempo que garantiza la máxima eficiencia y fiabilidad. Cuenta con una certificación única de pruebas de avalancha y una resistencia térmica superior, lo que la hace ideal para aplicaciones industriales en las que el rendimiento es fundamental. Con una tensión de drenaje de 100 V y una resistencia de estado activado impresionantemente baja, este transistor destaca en el mercado. Su diseño vanguardista garantiza que cumple las rigurosas normas de la IEC60947 5 2 y la conformidad RoHS, por lo que satisface a los fabricantes concienciados con el medio ambiente.

Optimizado para SMPS de alta eficiencia
fiabilidad 100% probada en avalanchas
Rendimiento térmico superior al de la competencia
Revestimiento con plomo sin plomo para cumplir la normativa medioambiental
Cumple la directiva RoHS para reducir la huella ecológica
Su construcción sin halógenos minimiza el impacto medioambiental
Adaptado a las estrictas normas industriales

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