MOSFET Infineon IQDH88N06LM5SCATMA1, VDSS 60 V, ID 447 A, PG-WHSON-8 de 8 pines

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Código RS:
348-892
Nº ref. fabric.:
IQDH88N06LM5SCATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

447 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

PG-WHSON-8

Serie

OptiMOS 5

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Modo de Canal

Mejora

Número de Elementos por Chip

1

COO (País de Origen):
MY
Este MOSFET de Infineon viene con una baja RDS(on) de 0,86 mΩ combinada con un rendimiento térmico excepcional para una fácil gestión de las pérdidas de energía. Además, con el paquete de refrigeración de doble cara se puede disipar cinco veces más potencia que con el encapsulado sobremoldeado.

Pérdidas de conducción minimizadas
Conmutación rápida
Reducción de sobretensiones

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