MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQD020N10NM5SCATMA1, VDSS 100 V, ID 276 A, Mejora, PG-WHSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 351-912
- Nº ref. fabric.:
- IQD020N10NM5SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 2 unidades)*
10,00 €
(exc. IVA)
12,10 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 5000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 5,00 € | 10,00 € |
| 20 - 198 | 4,505 € | 9,01 € |
| 200 - 998 | 4,15 € | 8,30 € |
| 1000 - 1998 | 3,85 € | 7,70 € |
| 2000 + | 3,455 € | 6,91 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 351-912
- Nº ref. fabric.:
- IQD020N10NM5SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 276A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | IQD0 | |
| Encapsulado | PG-WHSON-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.05mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 333W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 107nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 0.75mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | |
| Longitud | 5mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 276A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie IQD0 | ||
Encapsulado PG-WHSON-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.05mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 333W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 107nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 0.75mm | ||
Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | ||
Longitud 5mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este MOSFET de potencia de Infineon viene con una baja RDS(on) de 2,05 mΩ combinada con un rendimiento térmico excepcional para una fácil gestión de las pérdidas de energía. Además, con el paquete de refrigeración de doble cara se puede disipar cinco veces más potencia que con el encapsulado sobremoldeado. Esto permite una mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia para una gran variedad de aplicaciones finales.
Tecnología de silicio de 100 V de vanguardia
FOM destacados
Rendimiento térmico mejorado
Parásitos ultrabajos
Relación chip/paquete maximizada
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, PG-WHSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 25 V Mejora, PG-WHSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, PG-WHSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PG-WHSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, PG-WHSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PG-WHSON-8 de 8 pines
- MOSFET Infineon IQDH88N06LM5SCATMA1 ID 447 A, PG-WHSON-8 de 8 pines
- MOSFET Infineon IQD016N08NM5SCATMA1 ID 323 A, PG-WHSON-8 de 8 pines