MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQD020N10NM5SCATMA1, VDSS 100 V, ID 276 A, Mejora, PG-WHSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 351-912
- Nº ref. fabric.:
- IQD020N10NM5SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 5,655 € | 11,31 € |
| 20 - 198 | 5,095 € | 10,19 € |
| 200 - 998 | 4,695 € | 9,39 € |
| 1000 - 1998 | 4,355 € | 8,71 € |
| 2000 + | 3,905 € | 7,81 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 351-912
- Nº ref. fabric.:
- IQD020N10NM5SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 276A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | IQD0 | |
| Encapsulado | PG-WHSON-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.05mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 107nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 333W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Anchura | 6 mm | |
| Altura | 0.75mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 276A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie IQD0 | ||
Encapsulado PG-WHSON-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.05mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 107nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 333W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 5mm | ||
Anchura 6 mm | ||
Altura 0.75mm | ||
Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este MOSFET de potencia de Infineon viene con una baja RDS(on) de 2,05 mΩ combinada con un rendimiento térmico excepcional para una fácil gestión de las pérdidas de energía. Además, con el paquete de refrigeración de doble cara se puede disipar cinco veces más potencia que con el encapsulado sobremoldeado. Esto permite una mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia para una gran variedad de aplicaciones finales.
Tecnología de silicio de 100 V de vanguardia
FOM destacados
Rendimiento térmico mejorado
Parásitos ultrabajos
Relación chip/paquete maximizada
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