MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQE030N06NM5SCATMA1, VDSS 60 V, ID 132 A, Mejora, PG-WHSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 284-759
- Nº ref. fabric.:
- IQE030N06NM5SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 284-759
- Nº ref. fabric.:
- IQE030N06NM5SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 132A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | PG-WHSON-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 100W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 39nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 132A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado PG-WHSON-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 100W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 39nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon dispone de un transistor de potencia optimos 5 diseñado para sobresalir en aplicaciones de rectificación síncrona, ofreciendo un rendimiento y eficiencia inigualables. Con un diseño robusto y capacidades de gestión térmica ART, este MOSFET de potencia garantiza un funcionamiento fiable en entornos exigentes. Su resistencia térmica superior lo convierte en una excelente opción para diversas aplicaciones industriales, lo que garantiza que sus sistemas funcionen con la máxima fiabilidad y una pérdida de potencia mínima. Completamente conforme con las normativas RoHS, este componente prioriza la compatibilidad con el medio ambiente al tiempo que mantiene una funcionalidad excepcional.
Rectificación síncrona de alta eficiencia
Configuración de canal N para un rendimiento eficaz
Fiabilidad 100% probada contra avalanchas
Materiales sin halógenos para una eliminación más segura
Compatible con un amplio rango de temperaturas industriales
La resistencia de estado de conexión mínima reduce la pérdida de potencia
Conformidad con RoHS para sostenibilidad ambiental
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