MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQE050N08NM5SCATMA1, VDSS 80 V, ID 99 A, Mejora, PG-WHSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 284-774
- Nº ref. fabric.:
- IQE050N08NM5SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,414 € | 12,07 € |
| 50 - 95 | 2,294 € | 11,47 € |
| 100 - 495 | 2,126 € | 10,63 € |
| 500 - 995 | 1,954 € | 9,77 € |
| 1000 + | 1,882 € | 9,41 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 284-774
- Nº ref. fabric.:
- IQE050N08NM5SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 99A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | PG-WHSON-8 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 35nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 100W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 99A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado PG-WHSON-8 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 35nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 100W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon dispone de un transistor de potencia OptiMOS 5, con un valor nominal de 80 V, está diseñado específicamente para mejorar la eficiencia y el rendimiento de las aplicaciones electrónicas modernas. Excelencia en proporcionar una rectificación síncrona superior, lo que garantiza pérdidas de energía mínimas y maximiza la fiabilidad general del sistema. Gracias a su baja resistencia de encendido y a su gestión térmica excepcional, este transistor es ideal para aplicaciones industriales exigentes, lo que lo convierte en una elección preferida para los ingenieros que buscan optimizar el rendimiento. Con extensas pruebas de avalancha y construcción robusta, promete longevidad en entornos hostiles y se ajusta a los estándares RoHS globales, lo que garantiza un fuerte compromiso con la seguridad y la sostenibilidad.
Optimizado para rectificación síncrona
Canal N para facilitar la integración de circuitos
La baja resistencia de encendido reduce la generación de calor
La excepcional resistencia térmica evita el sobrecalentamiento
100% probado contra avalanchas para mayor fiabilidad
Chapado de plomo sin plomo para una fabricación respetuosa con el medio ambiente
La construcción sin halógenos cumple las normativas
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