MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQE022N06LM5SCATMA1, VDSS 60 V, ID 151 A, Mejora, PG-WHSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 284-754
- Nº ref. fabric.:
- IQE022N06LM5SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 284-754
- Nº ref. fabric.:
- IQE022N06LM5SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 151A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | PG-WHSON-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 26nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 100W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 151A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado PG-WHSON-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 26nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 100W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon dispone de un transistor de potencia OptiMOS 5, un MOSFET muy eficiente diseñado para satisfacer las demandas de las aplicaciones de gestión de potencia avanzada. Con una capacidad de disipación de potencia que le permite funcionar de manera fiable en condiciones intensas, este transistor de potencia garantiza una eficiencia y una gestión térmica óptimas. Su construcción sin plomo y conforme con RoHS avala su usabilidad en aplicaciones ecológicamente sensibles, al tiempo que también es sin halógenos, lo que mejora su adaptabilidad en varios sectores. Completamente calificado de acuerdo con los estándares JEDEC para aplicaciones industriales, es un componente de confianza para ingenieros que buscan soluciones fiables y de alto rendimiento.
Optimizado para gestión de potencia
Admite rectificación síncrona en SMPS
Canal N con compatibilidad de nivel lógico
Resistencia de encendido muy baja para un rendimiento térmico
Resistencia térmica superior para mayor fiabilidad
Prueba de avalancha al 100 % para garantizar el funcionamiento
Cumple la normativa ambiental
Validación completa para uso industrial
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