MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQE022N06LM5SCATMA1, VDSS 60 V, ID 151 A, Mejora, PG-WHSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 284-755
- Nº ref. fabric.:
- IQE022N06LM5SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
11,51 €
(exc. IVA)
13,925 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 100 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,302 € | 11,51 € |
| 50 - 95 | 2,186 € | 10,93 € |
| 100 - 495 | 2,024 € | 10,12 € |
| 500 - 995 | 1,864 € | 9,32 € |
| 1000 + | 1,794 € | 8,97 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 284-755
- Nº ref. fabric.:
- IQE022N06LM5SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 151A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | PG-WHSON-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 100W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 26nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 151A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado PG-WHSON-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 100W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 26nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon dispone de un transistor de potencia OptiMOS 5, un MOSFET muy eficiente diseñado para satisfacer las demandas de las aplicaciones de gestión de potencia avanzada. Con una capacidad de disipación de potencia que le permite funcionar de manera fiable en condiciones intensas, este transistor de potencia garantiza una eficiencia y una gestión térmica óptimas. Su construcción sin plomo y conforme con RoHS avala su usabilidad en aplicaciones ecológicamente sensibles, al tiempo que también es sin halógenos, lo que mejora su adaptabilidad en varios sectores. Completamente calificado de acuerdo con los estándares JEDEC para aplicaciones industriales, es un componente de confianza para ingenieros que buscan soluciones fiables y de alto rendimiento.
Optimizado para gestión de potencia
Admite rectificación síncrona en SMPS
Canal N con compatibilidad de nivel lógico
Resistencia de encendido muy baja para un rendimiento térmico
Resistencia térmica superior para mayor fiabilidad
Prueba de avalancha al 100 % para garantizar el funcionamiento
Cumple la normativa ambiental
Validación completa para uso industrial
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PG-WHSON-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, PG-WHSON-8 de 8 pines
- MOSFET Infineon IQDH88N06LM5SCATMA1 ID 447 A, PG-WHSON-8 de 8 pines
- MOSFET Infineon IQDH45N04LM6SCATMA1 ID 611 A, PG-WHSON-8 de 8 pines
- MOSFET Infineon IQD009N06NM5SCATMA1 ID 445 A, PG-WHSON-8 de 8 pines
- MOSFET Infineon IQE065N10NM5SCATMA1 ID 85 A, PG-WHSON-8 de 8 pines
- MOSFET Infineon IQD005N04NM6SCATMA1 ID 597 A, PG-WHSON-8 de 8 pines
- MOSFET Infineon IQD016N08NM5SCATMA1 ID 323 A, PG-WHSON-8 de 8 pines