MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQD063N15NM5SCATMA1, VDSS 150 V, ID 151 A, Mejora, PG-WHSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 351-914
- Nº ref. fabric.:
- IQD063N15NM5SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 5,19 € | 10,38 € |
| 20 - 198 | 4,675 € | 9,35 € |
| 200 - 998 | 4,31 € | 8,62 € |
| 1000 - 1998 | 3,995 € | 7,99 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 351-914
- Nº ref. fabric.:
- IQD063N15NM5SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 151A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Serie | IQD0 | |
| Encapsulado | PG-WHSON-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.32mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 333W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 48nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 0.75mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, JEDEC, Halogen‐Free According to IEC61249‐2‐21 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 151A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Serie IQD0 | ||
Encapsulado PG-WHSON-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.32mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 333W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 48nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 0.75mm | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, JEDEC, Halogen‐Free According to IEC61249‐2‐21 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este MOSFET de potencia de Infineon viene con una baja RDS(on) de 6,32 mΩ combinada con un rendimiento térmico excepcional para una fácil gestión de las pérdidas de energía. Además, con el paquete de refrigeración de doble cara se puede disipar cinco veces más potencia que con el encapsulado sobremoldeado. Esto permite una mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia para una gran variedad de aplicaciones finales.
Tecnología de silicio de 150 V de vanguardia
FOM destacados
Rendimiento térmico mejorado
Parásitos ultrabajos
Relación chip/paquete maximizada
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