MOSFET Infineon IQDH45N04LM6SCATMA1, VDSS 40 V, ID 611 A, PG-WHSON-8 de 8 pines
- Código RS:
- 348-887
- Nº ref. fabric.:
- IQDH45N04LM6SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Disponibilidad de stock no accesible
- Código RS:
- 348-887
- Nº ref. fabric.:
- IQDH45N04LM6SCATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 611 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 40 V | |
| Serie | OptiMOS 6 | |
| Tipo de Encapsulado | PG-WHSON-8 | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 8 | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 611 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 40 V | ||
Serie OptiMOS 6 | ||
Tipo de Encapsulado PG-WHSON-8 | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 8 | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este MOSFET de Infineon viene con una baja RDS(on) de 0,45 mΩ combinada con un rendimiento térmico excepcional para una fácil gestión de las pérdidas de energía. Además, con el paquete de refrigeración de doble cara se puede disipar cinco veces más potencia que con el encapsulado sobremoldeado.
Reducción de sobretensiones
Mayor capacidad de corriente máxima
Conmutación rápida
Mayor capacidad de corriente máxima
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