MOSFET Infineon IQDH45N04LM6SCATMA1, VDSS 40 V, ID 611 A, PG-WHSON-8 de 8 pines

Ver todo MOSFET
No disponible
RS ya no dispondrá de este producto.
Código RS:
348-887
Nº ref. fabric.:
IQDH45N04LM6SCATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

611 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

PG-WHSON-8

Serie

OptiMOS 6

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Modo de Canal

Mejora

Número de Elementos por Chip

1

COO (País de Origen):
MY
Este MOSFET de Infineon viene con una baja RDS(on) de 0,45 mΩ combinada con un rendimiento térmico excepcional para una fácil gestión de las pérdidas de energía. Además, con el paquete de refrigeración de doble cara se puede disipar cinco veces más potencia que con el encapsulado sobremoldeado.

Reducción de sobretensiones
Mayor capacidad de corriente máxima
Conmutación rápida

Enlaces relacionados