MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQE030N06NM5SCATMA1, VDSS 60 V, ID 132 A, Mejora, PG-WHSON-8 de 8 pines

Código RS:: 284-760
Nº ref. fabric.:: IQE030N06NM5SCATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQE030N06NM5SCATMA1, VDSS 60 V, ID 132 A, Mejora, PG-WHSON-8 de 8 pines

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Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
5 - 45	2,302 €	11,51 €
50 - 95	2,186 €	10,93 €
100 - 495	2,024 €	10,12 €
500 - 995	1,864 €	9,32 €
1000 +	1,794 €	8,97 €

*precio indicativo

Código RS:: 284-760
Nº ref. fabric.:: IQE030N06NM5SCATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	132A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Serie	OptiMOS
	Encapsulado	PG-WHSON-8
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	3mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	39nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Disipación de potencia máxima Pd	100W
	Tensión directa Vf	1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 132A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Serie OptiMOS
	Encapsulado PG-WHSON-8
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 39nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Disipación de potencia máxima Pd 100W
	Tensión directa Vf 1.2V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS
	Estándar de automoción No

Datasheet - IQE030N06NM5SCATMA1

El MOSFET de Infineon dispone de un transistor de potencia optimos 5 diseñado para sobresalir en aplicaciones de rectificación síncrona, ofreciendo un rendimiento y eficiencia inigualables. Con un diseño robusto y capacidades de gestión térmica ART, este MOSFET de potencia garantiza un funcionamiento fiable en entornos exigentes. Su resistencia térmica superior lo convierte en una excelente opción para diversas aplicaciones industriales, lo que garantiza que sus sistemas funcionen con la máxima fiabilidad y una pérdida de potencia mínima. Completamente conforme con las normativas RoHS, este componente prioriza la compatibilidad con el medio ambiente al tiempo que mantiene una funcionalidad excepcional.

Rectificación síncrona de alta eficiencia

Configuración de canal N para un rendimiento eficaz

Fiabilidad 100% probada contra avalanchas

Materiales sin halógenos para una eliminación más segura

Compatible con un amplio rango de temperaturas industriales

La resistencia de estado de conexión mínima reduce la pérdida de potencia

Conformidad con RoHS para sostenibilidad ambiental

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQE030N06NM5SCATMA1, VDSS 60 V, ID 132 A, Mejora, PG-WHSON-8 de 8 pines

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